OHTは次世代メモリの有力候補であるMRAM(磁気抵抗メモリ)の全自動検査装置をいち早く製品化しました。

• 計測対象のウェハーに金属プローブを当てた状態で、搭載した電磁石から世界トップクラスとなる最大1.5Tの強磁界をウエハー表面に印加し、MTJ（Magnetic Tunnel Junction)の電気特性を計測します。
• 印可磁界は直径4mmの範囲で±1%の均一性を持ちます。